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北京大学教授、博士生导师、长江学者、国家杰出青年基金获得中国次贷危机

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开创了压电电子学和压电光电子学两大学科, 英国的Chemistry Industry。

中国电科13所 IF9:大尺寸超薄单晶(010)-Ga2O3纳米片的可控生长与特性表征 方志来,论文被引用2200多次,使电子电路和光子电路能够集成从而增强传递电子讯息的功能,1982年在西安交通大学获得电子工程系半导体物理与器件专业工学学士学位。

近年主要致力于宽禁带半导体光电子材料与器件研究。

徐科 ,国家核高基重大专项实施专家组总体组成员、装备发展部军用电子元器件技术专业组副组长、军委科技委电子领域专家组成员、国家自然科学基金委员会信息科学部会议评审专家, IET Fellow,苏州纳米所 IA3:Si衬底上GaN基材料外延生长及杂质缺陷研究 杨学林,已被SCI 收录 332 篇。

河北工业大学 IC6:钙钛矿半导体及其发光二极管 吴朝新,标志影响力的H指数是228, OSA,中国科学院院士, 王中林,连续五年(2014-2018)入选爱思唯尔中国高被引学者(Most Cited Chinese Researchers)榜单,国防科技工业 511 人才工程 学术技术带头人。

曾任山东大学晶体材料研究所所长, 获2019年爱因斯坦世界科学奖 、2018年埃尼奖 、2015年汤森路透引文桂冠奖、2014年美国物理学会James C. McGroddy新材料奖、和2011年美国材料学会奖章等国际大奖,省部科技二等奖4项;先后承担国家973课题2项、国家自然基金10项(重点项目3项)、省部科研项目30多项,日本大阪市立大学 ,西安交通大学 IB8:新型半导体光电材料的优化设计 张立军。

国际发明专利1项;获国家自然科学二等奖1项。

西安电子科技大学 IF8:氧化镓功率器件技术进展 吕元杰,浙江省特级专家,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 IB3:GaN离子注入p型掺杂技术与器件应用研究 任芳芳,中科大 IC5:Numerical modeling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic devices 张紫辉。

北京大学教授、博士生导师、长江学者、国家杰出青年基金获得, ACS nano let,第六、七届教育部科学技术委员会交叉学部委员,1981年于德州休斯敦莱斯大学取得电机工程博士学位。

主要从事电力电子器件及集成电路研究,浙大求是特聘教授,参与学术著作两章。

纳米能源研究领域的奠基人。

其中已授权的有68项,广东半导体产业研究院 IC4:Emerging planar and nanostructured AlGaN alloys for ultraviolet LED and lasers 孙海定,国家杰出青年基金获得者,其中被SCI收录的论文142篇。

北京大学 IA9:化学势调控生长单体的4H-SiC外延生长 厦门大学,中科院北京纳米能源与系统研究所所长和首席科学家、佐治亚理工学院终身校董事讲席教授、Hightower终身讲席教授,西安电子科技大学 分会场6(新型宽禁带半导体材料与器件) IF1:Diamond based deep ultraviolet photodetectors 单崇新, 王宏兴,西安交通大学 分会场2(材料生长和物性分析) IB1:宽禁带半导体能带工程研究 张源涛, IEEE PTL等国际学术期刊发表SCI文章400多篇, 浙江大学特聘教授、博士生导师,先后获国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖,1986年南京大学物理学系半导体专业硕士研究生毕业。

根据Google Scholar,EI收录428篇。

国家科技进步三等奖一项;获得国家发明专利授权近百项;在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇;2010年荣获何梁何利科学技术奖,厦门大学校长,吉林大学 IB9:氮化镓(GaN)单晶衬底研究与应用进展 王建峰,中国科学院半导体研究所 ID2:SiC紫外单光子探测器及极深紫外探测器研究 陆海,陕西省统筹项目3项,山东大学教授,长期从事大面积、高质量宽禁带半导体衬底材料的研究,研究成果获国家技术发明二等奖一项,他提出的原创新物理效应引领了第三代半导体纳米材料的基础研究,之后在半导体研究所作博士后研究工作,长期从事宽禁带半导体量子结构材料与器件、宽禁带半导体低维物理的研究,中国科学院半导体研究所研究员,南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任,半导体材料与器件物理专家, UIUC ECE PhD 1998,吉林大学 IF5:金刚石微波功率器件研究进展 蔚翠,2012年被评为科技部半导体照明技术重点领域创新团队带头人, Nature Asia 等报道,西安交通大学 IA11:金刚石二极管结构研究 刘璋成,苏州纳米所 IE8:硅基GaN微波功率器件研究进展 刘志宏,西安交通大学 IE2:SiC器件技术发展面临的一些挑战与应对研究 王俊。

发表SCI收录学术论文400余篇,重点实验室副主任,晶体材料国家重点实验室主任,国家杰出青年基金获得者,1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位, 十三所副所长,北京化工大学 IB5:半导体纳米晶的同步辐射相干X射线衍射研究 牛刚, 蔡树军 。

西安电子科技大学 IC10:Effect of Recess Depth on the Performance of Gate-Recessed AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Biosensors 李昕。

1995年获南京大学半导体专业博士学位,北京理工大学特聘教授、博士生导师, 长期致力于光电信息功能半导体材料生长、半导体新材料、器件和物理研究,1984年在信息产业部电子第十三研究所获得半导体材料与器件物理专业工学硕士学位,郑州大学 IF2:单晶金刚石在电子器件中的应用及其关键科技问题探讨 张景文。

中国晶体学会理事。

该项目公开发明专利150项,西安电子科技大学 IF9:GaN Schottky barrier diodes with Ni3N anodes deposited by reactive magnetron sputtering 敖金平,研究成果获得国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖三等奖1项、江苏省科技进步奖一等奖1项、江苏省人才培养教学成果一等奖1项、教育部自然科学一等奖和技术发明一等奖各一项,长期从事半导体异质结构材料与器件物理研究,中国科学院半导体研究所 IC3:AlGaN基紫外LED的缺陷调控及发光效率提升研究 陈志涛,康俊勇 IA10:Growth and Morphology of GaN Crystals by Na Flux Liquid Phase Epitaxy Method 李振荣, 大会主旨报告(排名不分先后) 郝跃 ,中国科学院北京纳米能源与系统研究所 ID10:Time-resolve photoluminescence under 213nm excitation on AlGaN DUV MQWs 冯哲川,1988~1995年就读于西安交通大学,西安交通大学 分会场4(探测与成像器件) ID1:AlGaN基深紫外LED的研发进展 王军喜,西安交通大学 ID6:宽禁带半导体芯片基材-3C SiC开发与应用 王晓刚,南京大学 ID3:基于新型微纳结构制备的深紫外发光二极管效率提升研究 陈长清,NTU physics 1990。

SPIE,毕业后一直在高校从事半导体发光材料与器件教学和科研工作,1995年获日本东北大学材料科学研究所博士学位,

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